STPSC4G065UFY-HXY

碳化硅肖特基二极管，低导通损耗、低开关损耗、浪涌电流性能好

描述

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于高效率电源转换场景。其正向导通压降（VF）为1.3V，在同类器件中表现出较低的导通损耗，有助于提升系统整体能效。反向漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断特性与高温稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高结温下稳定工作，适用于开关电源、光伏逆变、高密度适配器等对功率密度和热性能有较高要求的电力电子装置中，实现快速开关与低损耗运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STPSC4G065UFY-HXY

商品编号

C52145209

商品封装

SMBF​

包装方式

编带

商品毛重

0.28克(g)