STD12N65M2-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强型，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为460mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-4V至+18V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，该器件可在高电压、高温环境下运行，同时保持优异的开关性能。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及可再生能源逆变装置，尤其适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD12N65M2-HXY

商品编号

C52145210

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.444克(g)