H1D04065BF-HXY

碳化硅肖特基二极管，低导通损耗、低开关损耗、浪涌电流性能好

描述

该碳化硅二极管具有4A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高功率电力转换电路。其正向导通压降（VF）为1.3V，有助于降低导通损耗，提升系统能效。在反向关断状态下，漏电流（IR）典型值为10μA，具备良好的阻断性能。得益于碳化硅材料的特性，器件具有快速开关速度和优异的高温工作能力，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC变换器、服务器电源模块及对功率密度要求较高的电力电子装置，有助于减小磁性元件体积并优化热管理设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

H1D04065BF-HXY

商品编号

C52145208

商品封装

SMBF​

包装方式

编带

商品毛重

0.085619克(g)