H1D02065AF-HXY

碳化硅肖特基二极管，低导通损耗、低开关损耗、浪涌电流性能好

描述

该碳化硅二极管具有2A的正向电流（IF）和650V的反向耐压（VR），适用于中高压功率转换场景。其正向导通压降（VF）低至1.3V，可有效减少导通损耗，提升系统整体能效。在关断状态下，反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的阻断特性与稳定性。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备快速开关能力和良好的热性能，适合用于高频率开关电源、高效DC-DC转换器及要求紧凑设计的电力变换模块，有助于减小被动元件体积并提升功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

H1D02065AF-HXY

商品编号

C52145206

商品封装

SMAF​

包装方式

编带

商品毛重

0.24克(g)