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AO3400-ED
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。
- 商品型号
- AO3400-ED
- 商品编号
- C4748722
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V,2.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3400-HXY采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) < 28 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 34 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理