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NCE6890
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.3nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0224采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 200V，漏极电流 (ID) = 24A
- 当栅源电压 (VGS) = 10V 时，导通状态下的漏源电阻 (RDS(ON)) < 80 mΩ（典型值：64mΩ）
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高雪崩能量 (EAS)，稳定性和一致性良好
- 采用优秀的封装，散热性能良好
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电 (ESD) 能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源