温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE6890
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 3.3nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
NCE0224采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 68V,ID = 90A
- 在 VGS = 10V 时,RDS(ON) < 7.5 m Ω(典型值:6.5 m Ω)
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下稳定性和一致性良好
- 散热性能出色的封装
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源