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AOSD62666E-VB

N沟道 耐压:60V 电流:7A

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描述
台积电流片，长电科技封装；SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
AOSD62666E-VB
商品编号
C45662500
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@10V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.7nC@10V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)110pF

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