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ISC060N10NM6ATMA1-VB
DFN8(5X6)封装，100V单沟道NMOS场效应晶体管
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；95A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~5V；是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET，适合于要求高效能和小型封装的应用，特别适合现代电子设备和电力管理系统。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ISC060N10NM6ATMA1-VB
- 商品编号
- C45662519
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 结温175 °C
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
应用领域
- 隔离式DC/DC转换器
- N沟道MOSFET
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