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IRFS7430TRL7PP-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFS7430TRL7PP-VB

N沟道,40 V(D-S)耐压,175°C工作温度的MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;TO263-7L;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2.5~3.5V;是一款双通道N沟道场效应晶体管,采用rench技术,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业自动化等领域的模块中。
商品型号
IRFS7430TRL7PP-VB
商品编号
C45662528
商品封装
TO-263-7L​
包装方式
管装
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))1.5mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)375W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)310nC@10V
类型N沟道

商品特性

  • 沟槽式场效应功率MOSFET
  • 低热阻封装
  • 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试

应用领域

  • 电机控制-负载开关-或门电路

数据手册PDF