IRFS7430TRL7PP-VB
N沟道,40 V(D-S)耐压,175°C工作温度的MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO263-7L;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=2.5~3.5V;是一款双通道N沟道场效应晶体管,采用rench技术,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业自动化等领域的模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFS7430TRL7PP-VB
- 商品编号
- C45662528
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC@10V | |
| 类型 | N沟道 |
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