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SI7463DP-T1-E3-VB
P沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-40V；-80A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款采用SGT技术高性能单P型场效应晶体管，适用于各种功率电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7463DP-T1-E3-VB
- 商品编号
- C45662544
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
优惠活动
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