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SI7463DP-T1-E3-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI7463DP-T1-E3-VB

P沟道 耐压:40V 电流:80A

描述
台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道,-40V;-80A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款采用SGT技术高性能单P型场效应晶体管,适用于各种功率电路设计。
商品型号
SI7463DP-T1-E3-VB
商品编号
C45662544
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)47nC@10V
输入电容(Ciss)8.2nF
反向传输电容(Crss)225pF
工作温度-55℃~+175℃
类型-
输出电容(Coss)470pF

商品特性

  • 结温 175 °C
  • 超结沟槽(SGT)技术功率 MOSFET

应用领域

  • 电源开关
  • 大电流应用中的负载开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF