SI7463DP-T1-E3-VB
P沟道 耐压:40V 电流:80A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;DFN8(5X6);P—Channel沟道,-40V;-80A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款采用SGT技术高性能单P型场效应晶体管,适用于各种功率电路设计。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7463DP-T1-E3-VB
- 商品编号
- C45662544
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 结温 175 °C
- 超结沟槽(SGT)技术功率 MOSFET
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC转换器
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