FDD86110-VB

N沟道，100V（D-S）MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；TO252；2个N—Channel沟道,30V；32A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款双通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统领域的模块中。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

FDD86110-VB

商品编号

C45662554

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.36克(g)