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FDD86110-VB
N沟道，100V（D-S）MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO252；2个N—Channel沟道,30V；32A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；是一款双通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统领域的模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDD86110-VB
- 商品编号
- C45662554
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 246pF |
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