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STD45P4LLF6AG-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

STD45P4LLF6AG-VB

P沟道 耐压:40V 电流:50A

描述
台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道,-40V;-50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3.5V;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
商品型号
STD45P4LLF6AG-VB
商品编号
C45662555
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.36克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)136W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
反向传输电容(Crss)440pF
类型P沟道
输出电容(Coss)635pF

商品特性

  • TrenchFET功率MOSFET
  • 低热阻封装
  • 100%进行Rg和UIS测试

数据手册PDF