STD45P4LLF6AG-VB
P沟道 耐压:40V 电流:50A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道,-40V;-50A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3.5V;是一款单路P型MOSFET,采用Trench工艺,适用于需要P型MOSFET的高功率、高性能和高可靠性电子模块中,为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- STD45P4LLF6AG-VB
- 商品编号
- C45662555
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 440pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 635pF |
优惠活动
购买数量
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起订量:1 个2500个/圆盘
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