IPD600N25N3 G-VB

N沟道，250 V(D-S)，175 °C MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,250V；17A；RDS(ON)=176mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款高性能的单路N沟道场效应管，采用Trench技术，适用于中高功率电子设备和模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IPD600N25N3 G-VB

商品编号

C45662562

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.62克(g)