我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
SI4850EY-T1-GE3-VB实物图
  • SI4850EY-T1-GE3-VB商品缩略图
  • SI4850EY-T1-GE3-VB商品缩略图
  • SI4850EY-T1-GE3-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI4850EY-T1-GE3-VB

SOP8封装,单沟槽60V MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道,60V;12A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要中等功率场效应管的应用场景,例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。
商品型号
SI4850EY-T1-GE3-VB
商品编号
C45662577
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)32nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)90pF

商品特性

  • TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
  • 支持更高功率密度
  • 100%进行Rg和UIS测试

应用领域

  • 移动设备电池管理
  • 适配器和充电器开关
  • 电池开关
  • 负载开关

数据手册PDF