SI4850EY-T1-GE3-VB
SOP8封装,单沟槽60V MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOP8;N—Channel沟道,60V;12A;RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单通道N沟道场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于需要中等功率场效应管的应用场景,例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4850EY-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C45662577
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品特性
- TrenchFET第四代P沟道功率MOSFET
- 支持更高功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 移动设备电池管理
- 适配器和充电器开关
- 电池开关
- 负载开关
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