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SI2319DDS-T1-GE3-VB
P沟道 耐压:40V 电流:3.6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2319DDS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C45662579
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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