DMP6350SQ-7-VB
P沟道 60V 4.5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-60V;-4.5A;RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=12V;Vth=-1~-3V;是一款单P型场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于多种领域和模块,例如电池管理系统、DC-DC转换器和电源开关,便携式电子产品的电源管理和功率控制以及医疗器械模块
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMP6350SQ-7-VB
- 商品编号
- C45662581
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- P 沟道 MOSFET
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