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DMP6350SQ-7-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP6350SQ-7-VB

P沟道 60V 4.5A

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-60V;-4.5A;RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=12V;Vth=-1~-3V;是一款单P型场效应晶体管,采用Trench工艺制造,适用于多种领域和模块,例如电池管理系统、DC-DC转换器和电源开关,便携式电子产品的电源管理和功率控制以及医疗器械模块
商品型号
DMP6350SQ-7-VB
商品编号
C45662581
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.155克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.5A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)4.2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)832pF
反向传输电容(Crss)63pF
类型P沟道
输出电容(Coss)88pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
  • P 沟道 MOSFET

数据手册PDF