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FDN304P-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDN304P-VB

P沟道 耐压:20V 电流:5A

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-20V;-5A;RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V;Vth=-0.45~-1V;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
商品型号
FDN304P-VB
商品编号
C45662598
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.145克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))67mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)13nC@4.5V
输入电容(Ciss)695pF
反向传输电容(Crss)190pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)265pF

商品特性

  • 沟道型场效应功率MOSFET
  • 100%进行栅极电阻(Rg)测试

应用领域

  • 用于移动计算
  • 负载开关
  • 笔记本适配器开关
  • DC/DC转换器

数据手册PDF