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BSS215PH6327XTSA1-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSS215PH6327XTSA1-VB

SOT23-3封装,单沟槽20V MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-20V;-3.5A;RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=12V;Vth=-0.7~-2V;是一款单路P型场效应晶体管,采用Trench工艺制造。具有优异的性能参数,适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。
商品型号
BSS215PH6327XTSA1-VB
商品编号
C45662606
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16nC@10V
输入电容(Ciss)620pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)95pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
  • TrenchFET® 功率 MOSFET
  • 100% 进行 Rg 测试
  • 100% 进行 UIS 测试

应用领域

  • 电池开关
  • DC/DC 转换器

数据手册PDF