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SI2306BDS-T1-E3-VB
SOT23-3封装，30V沟槽型单NMOS场效应晶体管
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT-23；N—Channel沟道,30V；5A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；这是一款单路N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率功率控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2306BDS-T1-E3-VB
- 商品编号
- C45662624
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 62mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
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