我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
DMN6075SQ-7-VB实物图
  • DMN6075SQ-7-VB商品缩略图
  • DMN6075SQ-7-VB商品缩略图
  • DMN6075SQ-7-VB商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN6075SQ-7-VB

N沟道 耐压:60V 电流:4A

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23;N—Channel沟道,60V;4A;RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V;Vth=1~3V;这是一款单N沟道MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。
商品型号
DMN6075SQ-7-VB
商品编号
C45662613
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.155克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))86mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.66W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.1nC@10V
输入电容(Ciss)180pF
反向传输电容(Crss)13pF
类型N沟道
输出电容(Coss)22pF

数据手册PDF