ZXMP10A13FQTA-VB
P沟道 耐压:100V 电流:1.5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-100V;-1.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源控制和开关应用。适用于移动设备、传感器接口和医疗电子等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZXMP10A13FQTA-VB
- 商品编号
- C45662610
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
- 超低导通电阻
- 小尺寸
- 符合 RoHS 标准的无卤产品
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