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ZXMP10A13FQTA-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMP10A13FQTA-VB

P沟道 耐压:100V 电流:1.5A

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-100V;-1.5A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-3V;是一款单P型MOSFET,采用Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源控制和开关应用。适用于移动设备、传感器接口和医疗电子等多个领域和模块,为各类应用提供稳定可靠的电源和控制解决方案。
商品型号
ZXMP10A13FQTA-VB
商品编号
C45662610
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1.5A
导通电阻(RDS(on))560mΩ@6V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.7nC@10V
输入电容(Ciss)520pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)40pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率 MOSFET
  • 超低导通电阻
  • 小尺寸
  • 符合 RoHS 标准的无卤产品

数据手册PDF