SI2308BDS-T1-E3-VB

60V单NMOS场效应晶体管

描述

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,60V；4A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于便携式电子产品、消费电子、传感器模块、医疗设备和智能穿戴设备等低功率模块和应用场景。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI2308BDS-T1-E3-VB

商品编号

C45662615

商品封装

SOT-23-3​

包装方式

编带

商品毛重

0.145克(g)