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RE1J002YNTCL-VB
N沟道 耐压:60V 电流:330mA
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SC75-3；N—Channel沟道,60V；0.33A；RDS(ON)=1200mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子电路中的功率控制和开关应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RE1J002YNTCL-VB
- 商品编号
- C45662636
- 商品封装
- SC-75-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
优惠活动
购买数量
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起订量：5 个3000个/圆盘
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