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SI2318DS-T1-E3-VB
N沟道 耐压:40V 电流:4.8A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,40V；4.8A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；这是一款采用Trench工艺，具有低功率、低导通电阻和稳定的工作特性，能够满足小型电子设备和低功率应用的要求，适用于低功率电路控制和传感器接口的MOSFET产品。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2318DS-T1-E3-VB
- 商品编号
- C45662621
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 553pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
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