PMV27UPEAR-VB
20V沟槽型,SOT23-3封装,单P沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23;P—Channel沟道,-20V;-5A;RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V;Vth=-0.45~-1V;是一款单P通道功率MOSFET,采用Trench工艺制造,适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMV27UPEAR-VB
- 商品编号
- C45662601
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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