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SI2301CDS-T1-E3-VB
P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-3.5A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-0.7~-2V；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。具有优异的性能参数，适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2301CDS-T1-E3-VB
- 商品编号
- C45662604
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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