温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI2333CDS-T1-E3-VB
SOT23-3封装，-20V沟槽型单P沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-5A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=8V；Vth=-0.45~-1V；是一款单P通道功率MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种低压、小功率的电源管理、开关控制、信号放大和电路保护等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2333CDS-T1-E3-VB
- 商品编号
- C45662599
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 335pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器 (PA) 开关
- 直流-直流 (DC/DC) 转换器
相似推荐
其他推荐
- PMV30XPEAR-VB
- PMV27UPEAR-VB
- SI2333DS-T1-E3-VB
- SI2315BDS-T1-E3-VB
- SI2301CDS-T1-E3-VB
- PMV65XPEAR-VB
- BSS215PH6327XTSA1-VB
- BSH205G2R-VB
- FDN338P-VB
- DMP2123LQ-7-VB
- ZXMP10A13FQTA-VB
- NVR5198NLT1G-VB
- PMV88ENEAR-VB
- DMN6075SQ-7-VB
- FDN5632N-F085-VB
- SI2308BDS-T1-E3-VB
- RUC002N05HZGT116-VB
- DMN62D0U-7-VB
- 2N7002-T1-E3-VB
- BSH111BKR-VB
- DMN4035L-7-VB