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CPH6350-TL-W-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CPH6350-TL-W-VB

30V,SOT23-6封装,单沟槽P沟道MOSFET

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23-6;P—Channel沟道,-30V;-4.8A;RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-0.5~-2V;是一款单P沟道场效应晶体管,采用Trench工艺,适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域,包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。
商品型号
CPH6350-TL-W-VB
商品编号
C45662578
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.8A
导通电阻(RDS(on))54mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)5.1nC@10V
输入电容(Ciss)450pF
反向传输电容(Crss)63pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)80pF

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
  • 沟道型场效应管功率 MOSFET

应用领域

  • 负载开关

数据手册PDF