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SI2337DS-T1-GE3-VB
-60V沟槽式单P沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-60V；-5.2A；RDS(ON)=50(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1V~-2.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI2337DS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C45662580
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V；85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V；10.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 832pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 88pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- P沟道
- 工作温度 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 可选无铅产品
应用领域
- 用于移动计算
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
- 直流-直流转换器
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