SI4590DY-T1-GE3-VB

SOP8封装，±100V沟槽式双N+P沟道MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；SOP8；N+P—Channel沟道,±100V；6.3/-5.2A；RDS(ON)=80/150mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3V；是一款双N沟道和P沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电源和功率控制应用。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4590DY-T1-GE3-VB

商品编号

C45662570

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.1克(g)