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RSH070P05GZETB-VB
-40V SOP8封装，沟槽型单P沟道MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道,-40V；-8A；RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于多种电源模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- RSH070P05GZETB-VB
- 商品编号
- C45662575
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 382pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 427pF |
优惠活动
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