SI4497DY-T1-GE3-VB

P沟道 耐压:30V 电流:18A

描述

台积电流片，长电科技封装；SOP8；P—Channel沟道,-30V；-18A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.2V；是一款单通道MOSFET功率场效应管，采用Trench工艺，适用于需要高功率和高效能耗的应用场景，包括电源管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的相关模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4497DY-T1-GE3-VB

商品编号

C45662576

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.11克(g)