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FDS4935BZ-VB

P沟道 耐压:30V 电流:8A

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描述
台积电流片，长电科技封装；SOP8；2个P—Channel沟道,-30V；-8A；RDS(ON)=21mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；是一款双P型MOSFET，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用，包括但不限于开关电源、电池管理、电机驱动和汽车电子系统等领域的模块设计。
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDS4935BZ-VB
商品编号
C45662572
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.11克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)5W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)1.35nF
反向传输电容(Crss)185pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)215pF

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