SI4946BEY-T1-GE3-VB

60V沟槽型，SOP8封装，双N+N沟道MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；是一款双N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

SI4946BEY-T1-GE3-VB

商品编号

C45662573

商品封装

SO-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.11克(g)