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SQ4917EY-T1_GE3-VB
2个P沟道 耐压:60V 电流:5.3A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOP8；P+P—Channel沟道；-60V；-5.3A；RDS(ON)=54(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SQ4917EY-T1_GE3-VB
- 商品编号
- C45662571
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100% 经UIS测试
应用领域
-负载开关
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