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PMV20XNER-VB

N沟道 耐压:30V 电流:6.5A

描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.2V;是一款单体N型MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电源电子模块和领域。
商品型号
PMV20XNER-VB
商品编号
C45662568
商品封装
SOT-23(TO-236)​
包装方式
编带
商品毛重
0.15克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on))22mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.1W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.1nC@4.5V
输入电容(Ciss)235pF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)45pF

数据手册PDF

优惠活动

  • 9.5

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