PMV20XNER-VB
N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT23;N—Channel沟道,30V;6.5A;RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.2V;是一款单体N型MOSFET,采用Trench技术,适用于多种电源电子模块和领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMV20XNER-VB
- 商品编号
- C45662568
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
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