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DMN3023L-7-VB
30V单N沟道SOT23-3封装MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.2V；是一款单体N型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电源电子模块和领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMN3023L-7-VB
- 商品编号
- C45662566
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
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