IPD350N06LGBTMA1-VB
60V 单 NMOS 场效应晶体管
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;TO252;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;是一款单N沟道场效应管,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IPD350N06LGBTMA1-VB
- 商品编号
- C45662559
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
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