FQD1N60CTM-VB

N沟道，650 V（D-S）MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

FQD1N60CTM-VB

商品编号

C45662558

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.62克(g)