IPB017N10N5LFATMA1-VB

N沟道，100V（D-S）MOSFET

描述

台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,100V；250A；RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，适用于多个电子领域和模块。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IPB017N10N5LFATMA1-VB

商品编号

C45662552

商品封装

TO-263-7L​

包装方式

编带

商品毛重

2克(g)