IPD031N06L3GATMA1-VB

TO252SGT封装，60V单NMOS场效应晶体管

描述

台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；是一款单N型MOSFET，采用SGT技术制造，适用于电源模块、电动车电机控制器、太阳能逆变器等领域，可用于功率开关、电源管理、能量转换等模块中，以实现稳定的能量转换和高性能输出。

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

IPD031N06L3GATMA1-VB

商品编号

C45662553

商品封装

TO-252​

包装方式

编带

商品毛重

0.34克(g)