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BSC028N06NSATMA1-VB
60V单N沟道SGT技术DFN8(5X6)封装MOSFET
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单极性N型沟道场效应，采用SGT工艺制造，适用于电源模块、电动汽车驱动器、电池管理系统等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSC028N06NSATMA1-VB
- 商品编号
- C45662548
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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