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ISC027N10NM6ATMA1-VB
N沟道 耐压:100V 电流:135A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；135A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=1~3V；是一款单N沟道场效应晶体管，采用SGT技术，适用于需要高电压和大电流的应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ISC027N10NM6ATMA1-VB
- 商品编号
- C45662551
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
优惠活动
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