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CSD19502Q5B-VB
CSD19502Q5B-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,85V；140A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=1~3V；是一款单N型沟道MOSFET，采用SGT技术，在各类功率开关模块应用中广泛应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD19502Q5B-VB
- 商品编号
- C45662545
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 8.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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