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NX138BKWX-VB
N沟道 耐压:60V 电流:300mA
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NX138BKWX-VB
- 商品编号
- C45662539
- 商品封装
- SC-70-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 低导通电阻:2 Ω
- 低阈值:2 V(典型值)
- 低输入电容:25 pF
- 快速开关速度:25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- TrenchFET功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器
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