BUK98180-100A/CUX-VB
N沟道,100 V(D-S)MOSFET
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;SOT223;N—Channel沟道,100V;5A;RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;是一款单N沟道型器件,采用Trench工艺制造,适用于低功率电源模块、汽车电子、智能家居等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK98180-100A/CUX-VB
- 商品编号
- C45662541
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
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