温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTK3134NT1G-VB
NTK3134NT1G-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；0.9A；RDS(ON)=300mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~0.9V；是一款采用Trench技术低电压单N沟道MOSFET，适用于传感器接口、医疗电子、智能家居等应用领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTK3134NT1G-VB
- 商品编号
- C45662543
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.9nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合欧盟 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC 转换器
相似推荐
其他推荐
- SI7463DP-T1-E3-VB
- CSD19502Q5B-VB
- CSD18540Q5B-VB
- CSD18540Q5BT-VB
- BSC028N06NSATMA1-VB
- BSC027N06LS5ATMA1-VB
- STL110N10F7-VB
- ISC027N10NM6ATMA1-VB
- IPB017N10N5LFATMA1-VB
- IPD031N06L3GATMA1-VB
- FDD86110-VB
- STD45P4LLF6AG-VB
- IRLR024NTRLPBF-VB
- FQD13N06LTM-VB
- FQD1N60CTM-VB
- IPD350N06LGBTMA1-VB
- AOD66406-VB
- IRLR7843TRPBF-VB
- IPD600N25N3 G-VB
- IRFR220NTRLPBF-VB
- NVD6416ANLT4G-VF01-VB