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ZVP4525ZTA-VB
P沟道 耐压:200V 电流:1.8A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT89-3；P—Channel沟道,-200V；-1.8A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2.5~-4.5V；是一款采用Trench技术单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高压、高功率和高性能电子模块中。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- ZVP4525ZTA-VB
- 商品编号
- C45662542
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 950mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单
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