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CSD19536KTT-VB
100V沟槽型，TO263封装，单NMOS场效应晶体管
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；是一款单通道N型场效应管，采用Trench工艺，适用于各种电子领域和电源模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CSD19536KTT-VB
- 商品编号
- C45662536
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 385nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.84nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.23nF |
商品特性
- 低热阻TrenchFET功率MOSFET封装
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
- D2PAK (TO-263)
- N沟道MOSFET
应用领域
- 电源开关
- 大电流应用中的负载开关
- DC/DC转换器
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