温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRLZ34NSTRLPBF-VB
N沟道 60V 50A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造。具有高效、稳定和可靠的特性，适用于多种领域的功率电子应用，可满足不同应用场景的需求。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRLZ34NSTRLPBF-VB
- 商品编号
- C45662533
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
相似推荐
其他推荐
- IRFZ44NSTRLPBF-VB
- IRFS4321TRLPBF-VB
- CSD19536KTT-VB
- IRF3710STRLPBF-VB
- IRF3710ZSTRLPBF-VB
- NX138BKWX-VB
- BUK9832-55A/CUX-VB
- BUK98180-100A/CUX-VB
- ZVP4525ZTA-VB
- NTK3134NT1G-VB
- SI7463DP-T1-E3-VB
- CSD19502Q5B-VB
- CSD18540Q5B-VB
- CSD18540Q5BT-VB
- BSC028N06NSATMA1-VB
- BSC027N06LS5ATMA1-VB
- STL110N10F7-VB
- ISC027N10NM6ATMA1-VB
- IPB017N10N5LFATMA1-VB
- IPD031N06L3GATMA1-VB
- FDD86110-VB